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自氮化鎵進軍快充市場以來，不過短短幾年時間，其憑借著極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器，能在體積和重量只有傳統硅器件充電器的一半的前提下，提升3倍的充電速度，迅速在電源領域掀起了翻天覆地的變革。

為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense技術，推出新一代GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及率。

接下來，請跟隨我的腳步一同領略新一代GaNSense Control合封的“魅力”所在：

GaNSense Control

GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片系列將下一代氮化鎵 (GaN) 電源與高頻控制功能相結合。與友商不同，GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅動器的所有優點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應用。

易于使用、靈活、高效

全面、易于使用的合封和分立解決方案組合為電源設計人員提供了極大的靈活性。帶有 GaNSense 功率 IC 的 NV958x 高頻準諧振 (HFQR) 反激式控制器支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式操作。82 至 225 kHz 的頻率選擇為平面或繞線變壓器提供了靈活的設計，提供了高效、最緊湊的充電器解決方案。在副邊，與傳統整流器相比， NV97xx 同步整流 (SR) 控制器可在任何負載條件下提供最高效率。

世界一流的性能

GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片可實現最高頻率運行，以最大限度地減小系統尺寸和重量。無損耗電流檢測、高壓啟動和消除 VDD 電感器等集成功能減少了器件數量并提高了系統效率。納微的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有高達 800 V的瞬態電壓擊穿和無電流采樣電阻熱點，以最小的外形提供一流的效率。