前言
近年來，USB-PD 和多口快充市場對小體積、高功率密度的需求持續(xù)攀升，推動了以氮化鎵（GaN）器件和更高開關(guān)頻率為核心的電源架構(gòu)快速演進。傳統(tǒng)硬開關(guān)在高頻下帶來明顯的開關(guān)損耗、尖峰與 EMI，而被動 QR 雖能降低開通損耗，但易發(fā)生谷跳且難以在寬輸入/負載范圍內(nèi)持續(xù)維持近 ZVS，限制了進一步升頻與縮小磁件的空間。
而支持 ZVS 的 QR 控制器通過強制諧振、主動夾鉗或自適應谷值跟蹤實現(xiàn)把軟開關(guān)效果工程化，能在更寬工況下降低損耗與振鈴、提高效率并減小磁性元件和 EMI 負擔；對追求高功率密度與快速落地 GaN 方案的工程團隊，這類器件能夠有效降低設計復雜度并提升產(chǎn)品競爭力。
南芯科技已推出多款支持 ZVS 的全集成控制器及配套參考設計，覆蓋適配器與多口桌面等主流場景，接下來充電頭網(wǎng)將詳細介紹一下這些產(chǎn)品。
南芯SC3107C
SC3107C芯片采用南芯科技自研的全集成高壓隔離封裝，內(nèi)置了原邊控制器，氮化鎵功率管，高速隔離數(shù)字通訊模塊SC-PQLINK®，同步整流控制器和協(xié)議芯片。實現(xiàn)了用一顆芯片替代傳統(tǒng)方案中的五顆芯片。
該芯片的高集成度大幅度減少充電器外圍元件數(shù)量，具備開發(fā)周期短，產(chǎn)品性價比高的優(yōu)勢。芯片內(nèi)置的高速數(shù)字隔離通信模塊SC-PQLINK®，不僅帶來比光耦更高的系統(tǒng)可靠性，同時還實現(xiàn)了次級控制。芯片利用次級控制優(yōu)勢實現(xiàn)了原邊軟開關(guān)和主動式同步整流，提升了電源的整體效率，并降低散熱要求。
此外，芯片內(nèi)部集成了協(xié)議功能，支持UFCS融合快充，PD快充以及多種主流私有定制協(xié)議。芯片內(nèi)部還集成了軟啟動，供電過壓保護，逐周期電流限制，輸入欠壓保護，輸出過壓保護，輸出過電流保護和輸出短路保護等多種功能和保護，為快充電源的穩(wěn)定和安全保駕護航。
應用案例：
南芯SC1875
南芯科技SC1875，這是一款高性能多模式反激式PWM轉(zhuǎn)換器，采用SSOP38封裝，創(chuàng)新性地將GaN開關(guān)管、初級控制器、次級控制器及協(xié)議控制器集成于單芯片中。該器件通過專利的PQLINK隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦，實現(xiàn)次級側(cè)調(diào)節(jié)，顯著簡化便攜設備電源方案的設計與生產(chǎn)流程。
SC1875具備自適應開關(guān)頻率折返功能，可在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換：在高輸入電壓滿負載時，采用同步整流零電壓開關(guān)（SR-ZVS）技術(shù)提升能效；在低輸入電壓滿負載時，通過連續(xù)導通模式/準諧振（CCM/QR）混合模式優(yōu)化效率；空載狀態(tài)下則自動切換至突發(fā)模式以降低功耗。器件內(nèi)置完備保護機制，可有效防止異常工況下的電路損壞。此外，其特有的頻率抖動技術(shù)和智能驅(qū)動功能可顯著抑制噪聲干擾，優(yōu)化電磁兼容（EMI）性能。
應用案例：
南芯科技 SIMO 方案
南芯科技 SIMO 方案通過單級拓撲替代傳統(tǒng)兩級架構(gòu)，首次在隔離場景下實現(xiàn)“單變壓器多路輸出”，省去次級DC-DC控制器、電感及光耦等外圍器件，系統(tǒng)BOM精簡至僅需一顆主控芯片和協(xié)議芯片，整體體積較傳統(tǒng)方案縮小30%，單口方案已達2.23?W/cm³，多口方案亦保持1.92?W/cm³，與市面上最小體積方案相比，整體尺寸縮減逾30%。
該方案在單口輸出90?W工況下，效率可達92.3%，峰值效率更可突破94%；雙口輸出時，在低壓90?V輸入下分別輸出45W與20W，整體效率依然保持在91%以上，高壓230?V輸入場景下，效率優(yōu)勢更為明顯，可超93%。更值得關(guān)注的是，憑借深度優(yōu)化的控制邏輯與創(chuàng)新電路設計，該方案待機功耗低于43?mW，輕松滿足即將于2025年實施的中國國家一級能效標準及美國DOE第七級能效要求。
同時該方案引入了“偽連續(xù)模式”，通過在續(xù)流末端維持一個持續(xù)的非零負電流，實現(xiàn)了初級側(cè)零電壓開通（ZVS）的高效控制，并有效抑制了傳統(tǒng)DCM模式下的續(xù)流環(huán)振問題，同時優(yōu)化了EMI性能和降低了同步整流器件的應力，從而在保證雙輸出系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，提升了全范圍初級開關(guān)效率并降低了系統(tǒng)成本。
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充電頭網(wǎng)總結(jié)
南芯科技圍繞“近/準 ZVS”的工程化實現(xiàn)，形成了從全集成單芯片控制器到單級隔離多路輸出（SIMO）的完整組合，覆蓋單口適配器與多口桌面等主流場景。通過自適應谷值控制、主動諧振/夾鉗與高速隔離通信等手段，兼顧高頻高效與低 EMI，在縮小磁件與精簡 BOM 的同時，縮短了開發(fā)周期并提升了功率密度與一致性表現(xiàn)。
當前 ZVS 能力下沉到量產(chǎn)級控制器與參考方案，使 GaN 的高頻優(yōu)勢可復制、可規(guī)模化，降低了 OEM/ODM 進入高密度多口快充的門檻。單級 SIMO 正在重塑系統(tǒng)分割方式，進一步釋放體積與成本空間，并為即將更嚴的中美能效法規(guī)提供技術(shù)路徑。隨著數(shù)字化控制、軟硬件協(xié)同與建模工具成熟，這類方案的可擴展性將延伸到更高功率、更復雜口數(shù)與更嚴苛的合規(guī)邊界，成為快充產(chǎn)品迭代的關(guān)鍵底座。
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