Power Integrations正利用其高壓PowiGaN™技術，助力新興800VDC數據中心總線架構的發展。作為已實現量產1250V和1700V高壓GaN開關的重點供應商，PI正與NVIDIA合作，加速推動向800VDC供電和兆瓦級機架的轉型。
 
我們于2025年OCP（開放計算項目）全球峰會上發布了一份白皮書，點擊此處下載。其中重點介紹了1250V和1700V PowiGaN HEMT如何能夠滿足現代AI數據中心所需的效率、功率密度和可靠性要求。相較于堆疊式650V GaN FET和1200V SiC器件，單個1250V PowiGaN開關可顯著提高性能并簡化設計。
 
PowiGaN擁有獨特優勢
  • 可簡化柵極驅動電路，帶來更高的短路安全裕量和更安全的關斷特性
  • 更高的開關頻率，而不會像傳統的FET開關那樣帶來效率損失
  • FIT小于1，證明其在嚴苛環境下具有高可靠性
  • 減少銅材用量，優化機架空間

憑借超過1.75億個PowiGaN功率開關應用于快充、電動汽車和數據中心等領域，PI在高壓GaN創新方面處于前沿地位。InnoMux2-EP開關IC可為800VDC數據中心內的輔助電源提供獨特的解決方案。該IC內部集成的1700V PowiGaN開關支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無風扇的800VDC架構中可為12V系統提供超過90.3%的效率。

 

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