前言

在充電器產品向更小體積、更高功率密度與更低功耗進的當下，氮化鎵（GaN）器件與高度集成的電源芯片正成為實現迷你化快充的關鍵技術路徑。小米推出的Nano 33W迷你氮化鎵充電器，正是順應這一趨勢，該產品采用了先進的氮化鎵技術，配合英集芯提供的全套電源方案，為用戶帶來了小巧、輕便且高效的充電體驗。

充電頭網在拿到這款產品后，也進行了詳細拆解，接下來將簡要回顧這款充電器的整體設計特點，并重點介紹其中所采用的英集芯全套電源方案。

小米Nano 33W迷你氮化鎵充電器

小米Nano 33W氮化鎵充電器采用小布丁系列同款樣式機身設計，整體小巧圓潤，設計滿足當下消費者對迷你充的需求。產品配備歐規插腳，不過支持100-240V全球寬電壓輸入，并且兼容PD、PPS、QC快充協議，可滿足小米以及蘋果、三星等品牌手機日常快充需求。

充電頭網通過拆解了解到，這款充電器基于英集芯IP2006H+IP2002TS高頻QR反激電源方案進行設計，可搭配氮化鎵器件，為實現小巧、高效、可靠的快充產品提供支持。此外這款產品還采用英集芯定制協議芯片控制接口輸出，整體一致性更好，對于助力產品快速量產上市很有幫助。

初級主控芯片 IP2006H

初級主控芯片來自英集芯，型號為IP2006H，是一款高性能多模式數模混合反激控制器，芯片具備頻率折返和谷底導通技術，并支持自適應開關頻率，提高輕載效率，最大開關頻率得到優化，降低溫升，并提高滿載效率。

IP2006H還具備突發模式，能夠在輕載和空載下降低待機功耗，滿足CoC V5和DoE VI標準，芯片具備完善的保護功能，包括Brown-in/Brown-out、輸出過壓保護、輸出欠壓保護、VDD過壓保護、輸入過壓保護和過熱保護，并且支持參數定制，支持過功率保護，采用SOT23-6封裝。

英集芯 IP2006H 資料信息。

同步整流芯片 IP2002TS

同步整流芯片來自英集芯，型號IP2002TS，這是一款集成了65V MOSFET的同步整流控制器，可取代高效反激電源中的整流肖特基二極管。通過檢測同步整流(SR)MOSFET 的漏極-源極電壓，IP2002TS可以輸出理想的驅動信號開啟或關斷MOSFET。同步整流可以有效降低二次側整流器的功耗，獲得更高的效率和更高的功率密度。

IP2002TS僅需極少的外圍器件就可以為3.3-12V的輸出電壓應用提供高性能的解決方案。無需輔助繞組供電，內部的穩壓電路可以產生自己的電源電壓，這使得它適用于具有低輸出電壓要求的充電器應用，或采用高側同步整流方案的適配器應用。

為了保證快速關斷MOSFET的能力，隨著次級電流的減小，IP2002TS通過降低MOSFET的驅動電壓來將MOSFET的導通壓降調節至約40mV，并在漏極-源極電壓反向之前將其迅速關閉。可配置的振鈴檢測電路防止IP2002TS在不連續導通模式(DCM)和準諧振時的 VDS 振鈴導致錯誤開啟。IP2002TS采用SOP8L封裝。

協議芯片 C2

協議芯片由小米向英集芯定制，芯片絲印了小米和英集芯兩家品牌的logo，還絲印有C2字樣。

充電頭網總結

通過拆解與分析，可以發現小米 Nano 33W 迷你氮化鎵充電器的設計亮點，這款充電器以僅 32×32×32mm 的迷你體積實現 33W 輸出，內部采用英集芯的全套電源方案，初級主控 IP2006H、同步整流 IP2002TS 以及小米定制的協議芯片 C2，配合 GaN 器件與高集成控制器，使得產品在體積、效率與熱管理之間取得良好平衡；同時支持 PD/PPS/QC 等主流快充協議，具備全球寬電壓兼容性，適配主流手機品牌的日常快充需求。

同時在傳音45w拆解中我們發現采用了同樣的IP2006H+IP2002TS 的設計，看來是英雄所見略同.

這類以高集成芯片＋GaN 器件為核心的迷你化快充設計代表了充電器模塊化、標準化與高功率密度發展的方向。對廠商而言，采用成熟的整套方案能有效縮短開發周期、降低設計風險并提升量產一致性；對終端用戶，則帶來更小巧便攜、更高效且更可靠的充電體驗。與此同時，符合能效與待機功耗規范的設計也有助于滿足各地監管與市場對能耗的更高要求。