智融科技最新推出的合封氮化鎵 SW1188H / SW1188HS 在繼承前代高集成化優勢的同時，通過降低功率開關導通電阻并優化準諧振控制策略，有效提升了導通與開關損耗性能，改善熱管理表現，進而在保證高功率輸出的前提下實現更小的體積、更輕的重量與更高的功率密度。配套的 SW1608、SW2303/ SW3516P 等外圍芯片與完整的 demo 套件，使得從樣機驗證到量產導入的路徑更加順暢，可有效縮短研發周期并降低工程風險。

 
從產品實現角度看，SW1188H / SW1188HS 不僅適配 45W—65W 等主流快充檔位的單口與多口方案，還能通過低導通電阻帶來的熱裕量為更高持續功率或更緊湊的散熱方案提供空間；芯片所支持的多模式工作與智能谷底導通技術，則有助于在不同負載工況下兼顧輕載效率與 EMI 表現，滿足實際產品對能效、兼容性與合規測試的要求。
 
當前合封氮化鎵的快速推進代表了充電器設計正從集成度更高的方向演進，廠商越來越重視通過器件集成度與參考設計來降低 BOM、縮短開發周期并提升產品差異化競爭力。SW1188H / SW1188HS此類高度集成且提供完善生態支持的器件，將進一步促進中小型品牌與代工廠在體積、成本與性能之間取得更優的平衡，從而推動更廣泛的 GaN 應用落地，加速市場上高能效、小型化快充產品的普及。
 
SW1188H 采用 ESOP-10W 封裝，便于小型電源設計的熱管理與布板。除此之外，針對小型化私模定制框架設計，智融科技還提供SW1188HS型號，采用QFN5x6封裝。智融科技也為 SW1188H 開發了若干 demo ，可幫助終端廠商快速完成功能驗證并加速量產。

相關閱讀：
1、智融科技推出超高性價比合封 GaN 新品 SW1188 并配套多款參考設計，加速快充產品落地