前言

低壓氮化鎵集成驅(qū)動芯片是一種將增強型低壓硅基氮化鎵晶體管和單通道高速驅(qū)動器集成在一起的芯片，具有體積小、高功率密度、高效率、高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、零反向恢復(fù)損耗等優(yōu)點，常在PD快充、電機驅(qū)動、D類音頻放大、微型逆變器、通信設(shè)備等消費以及工業(yè)場景應(yīng)用。

最近，充電頭網(wǎng)了解到，氮矽推出一款全新GaN PIIP氮化鎵芯片，該芯片集成GaN HEMT及氮化鎵柵極驅(qū)動器，能夠降低寄生參數(shù)并提升整機系統(tǒng)效率。且目前該芯片已經(jīng)成功導(dǎo)入極萌美容儀供應(yīng)鏈，助力產(chǎn)品實現(xiàn)穩(wěn)定、高效的超聲波高頻能量輸出。

氮矽科技DXC3510S2CA

氮矽科技DXC3510S2CA是一款100V的GaN PIIP，集成了100V耐壓、導(dǎo)阻12 mΩ的E-mode GaN HEMT及氮化鎵柵極驅(qū)動器，專為高效、高密度電源設(shè)計而優(yōu)化。該器件具備0~20V的寬范圍輸入耐壓能力，可適應(yīng)復(fù)雜的電壓波動環(huán)境，同時支持超高開關(guān)頻率，顯著提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。

得益于氮化鎵材料的先天優(yōu)勢，DXC3510S2CA能夠?qū)崿F(xiàn)快速且可控的上升時間，優(yōu)化開關(guān)損耗并提高能效。此外，其零反向恢復(fù)損耗（Zero Reverse Recovery Loss）特性徹底解決了傳統(tǒng)硅基器件在續(xù)流過程中的能量浪費問題，特別適用于高頻開關(guān)電源、同步整流、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、D類音頻放大器以及無線功率傳輸?shù)仍O(shè)備應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮矽DXC3510S2CA芯片憑借高集成度與高頻開關(guān)特性，有效簡化外圍電路并降低成本，相較于傳統(tǒng)低壓MOS方案，DXC3510S2C開關(guān)損耗低，溫升表現(xiàn)佳，降低散熱需求，減少寄生電感，優(yōu)化開關(guān)噪聲，提升可靠性，可謂是最求高效、高性能的小型消費電子產(chǎn)品的理想之選。

充電頭網(wǎng)了解到，氮矽科技自成立以來，公司始終專注于研發(fā)與銷售全方位氮化鎵產(chǎn)品，以瞄準(zhǔn)新能源與國家先進基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)為方向，打造全國產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品線。公司分別在成都和深圳設(shè)立研發(fā)與營銷中心，為各應(yīng)用領(lǐng)域客戶提供高性能、高可靠性的解決方案。

氮矽科技始終將科研能力作為立身之本，在氮化鎵領(lǐng)域打破國際廠商壟斷。公司先后推出“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

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