如今，人們對快速充電的需求與日俱增，快充技術的發展刻不容緩。然而，目前市面上存在著多種快充協議和技術方案，用戶在實際使用中有時會出現不同品牌充電設備協議不兼容的情況。這也是不少用戶希望可以改進的方面。
在這種情形下，由中國信息通信研究院、華為、OPPO、vivo、小米及國內手機廠商牽頭發起，聯合國內終端整機、充電芯片、儀表儀器、充電器、配件等終端快充產業鏈各方共同籌建的廣東省終端快充行業協會應運而生。
自成立以來，作為全國首家電子消費類快充行業協會，廣東省終端快充行業協會協同和整合產業資源，加速新技術的標準化、產業化應用和推廣。這對于構建產業鏈利益共同體，打造終端快充研發、制造、評測產業基地，帶動核心電子元器件、高端通用芯片、關鍵基礎材料等領域發展，努力建設世界級的終端快充創新型產業集群，具有至關重要的意義。
關于第三代半導體
第三代半導體是一種常溫下導電性介于導體和絕緣體之間的材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。可以實現更好的電子濃度和運動控制 ，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在快充技術領域具有重要的應用價值。其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表材料，技術較為成熟、應用較多的主要是氮化鎵和碳化硅。
目前，國內華為、OPPO、vivo、小米等多家企業在研制快充類產品時都優先選用第三代半導體材料。目的在于盡可能地提升充電效率，推動快速充電常態化，進而提高用戶的充電體驗感。而隨著新需求的不斷興起和材料本身的強勁優勢，第三代半導體的市場份額會逐步提高。與之而來的，第三代半導體在快速充電行業中所占分量也將日益增加。
氮化鎵（GaN）
第三代半導體材料氮化鎵（GaN）具備通電阻小、損耗低、功率密度大、能量轉化效率高及體積小等優勢，實現了設備體積和性能的優化，是實現快充突破的關鍵，將成為快充技術升級的重要方向。而對于用戶來說，它能夠帶來的是一種更方便、更舒適的充電體驗。
氮（Nitrogen）化學元素符號為N，原子序數7。鎵（Gallium）化學元素符號為Ga，原子序數31，因此將每年的7月31日定為世界氮化鎵日。
碳化硅（SiC）
作為第三代半導體材料，碳化硅（SiC）具有更大的介電擊穿強度、更快的飽和電子漂移速度、更電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用于高頻高溫的應用場景。因此，當用于半導體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、低導通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統尺寸。這些特性對于快充產品來說是極為重要的，將推動快充技術的發展提升至更高的境界。
碳（Carbon）化學元素符號為C，原子序數6。硅（Silicon）化學元素符號為Si，原子序數14，因此將每年的6月14日定為世界碳化硅日。
已加入協會成員
如今，已有七家第三代半導體企業加入終端快充行業協會，相信能這些企業定能與終端快充行業協會協同合作，共同進步，積極推動快充行業的進一步發展，為終端消費者帶來極致的充電體驗。
下面，我們來了解一下這些成員吧。
高級會員
目前已經加入協會的第三代半導體企業中，高級會員共兩個，分別是：GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）、Yuhongjinchip譽鴻錦（江西譽鴻錦材料科技有限公司）。
GaNext鎵未來（珠海鎵未來科技有限公司）
珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來科技”）成立于2020年10月，公司致力于第三代半導體GaN-on-Si器件的技術研究創新和行業發展領先。依托高起點、強隊伍等，實現GaN技術的國產化，推動GaN器件技術的世界領先，通過電源系統的創新設計，實現能源的綠色、高效利用。
公司總部位于國家開放創新的最前沿——粵澳深度合作區的ICC國際商務中心，擁有2000㎡的總部辦公空間，集成了氮化鎵芯片開發、封裝開發、芯片測試實驗室、可靠性實驗中心、失效分析、數據中心等研發功能，實現產品端到端的交付。
公司在深圳新一代產業園設置應用研發實驗室，具備電源系統仿真、磁設計、系統調試EMI測試等完整的電源系統研發驗證功能，擁有20余位資深應用工程師，具備30瓦到萬瓦級高功率密度電源解決方案、功率器件損耗分析及系統優化能力。
公司所指定的6寸芯片制造工廠合作商，擁有多年氮化鎵生產的技術經驗，其目前已實現穩定量產， 產品良率達95%，失效率低于20ppm，同時工廠已經通過IATF16949的認證，符合車規器件的生產標準， 為GaN器件在電動汽車的應用奠定基礎。
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Yuhongjinchip譽鴻錦（江西譽鴻錦材料科技有限公司）
江西譽鴻錦材料科技有限公司成立于2021年1月，位于江西省撫州市高新技術產業園區，是一家主要從事高品質氮化鎵電子材料和高端光電材料MOCVD外延生長及器件流片、封裝測試、模組的研發、生產制造的高科技創新型企業。
主要的產品包括肖特基二極管、HEMT晶體管、UVC-LED、激光器、功率放大器等。這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心及5G通訊領域。公司的關鍵工藝設備、儀器以進口設備為主，已具備4-6英寸兼容的氮化鎵電子材料的外延生產、器件流片及芯片封測能力。
公司現有員工100余人，其中博士15人、碩士9人、本科以上學歷占比70%，技術研發人員占比83%。公司的團隊成員均為該領域內在國內、國際上具有影響力的專家組成，技術專家團隊主要來自臺灣和日本。
江西譽鴻錦材料科技有限公司將致力于實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！
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普通會員
目前已經加入協會的第三代半導體企業中，普通會員共五個，分別是：ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）、Ascendsemi安森德（西安安森德半導體有限公司）、BASiC基本（深圳基本半導體有限公司）、Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導體有限公司）、Tagore泰高（深圳市泰高技術有限公司）。
ARKmicro方舟微（成都方舟微電子有限公司）
ARK成都方舟微電子有限公司（以下簡稱：方舟微），于2008年成立，專業從事功率半導體器件的研發、設計、生產與銷售，并提供電源管理、電路保護解決方案，是國內唯一專注耗盡型MOSFET設計的公司。產品大量用于充電器、LED、工業控制、電動汽車、通信電路、物聯網等領域，廣受客戶青睞。
方舟微產品包括消費類和工業類兩條產品線，用于充電器、LED等消費電子產品的DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1315E、DMZ1521E等系列產品，專為3.1快充定制開發，為大功率、寬電壓輸出的快充提供PWM IC 、同步整流IC供電并具有電路啟動功能；20V、30V、60V、100V、150V、200V、350V全系列增強型MOSFET高性能對標AOS同類產品，海外生產，品質更高、價格更優、供貨更有保證。方舟微目前已與PI、ON、IWATT、立锜、昂寶、康源、華源智信、硅動力等設計公司有深入合作，是華為、榮耀、三星、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客戶的長期供應商。
方舟微用于工控、汽車電子、物聯網等領域的DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523D等系列產品，一顆器件即能實現安全的瞬態浪涌抑制、過壓過流保護應用，器件性能完全達到甚至超過國外同類產品。目前與TE、上汽、一汽、南京科遠、正崴精密、中電集團等有廣泛合作。
方舟微產品僅DMZ6005E一顆產品目前已出貨5億只，以高品質、高性能、低成本對標國外同類產品，實現國產替代，被國內外客戶的認可并廣泛采用。
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Ascendsemi安森德（深圳安森德半導體有限公司）
安森德半導體有限公司(以下簡稱“安森德")是一家專注于高性能、高品質模擬集成電路研發和銷售的半導體公司。
安森德的技術團隊由在歐美頂尖半導體公司工作過的資深專家組成,擁有先進的模擬集成電路設計、工藝、生產、測試及可靠性技術和豐富的質量管理經驗。
安森德的通用模擬IC產品性能優良、品質卓越,可廣泛應用于智能手機、PAD、數字電視、DVD、數碼相機、筆記本電腦、可穿戴式設備、舞臺音響、調音臺設備、各種消費類電子產品以及車載電子、工業控制、醫療設備、測試儀表等眾多領域。
未來,安森德將以市場為導向、以創新為驅動、以服務客戶為目標，堅持自主創新，不斷開發更高性能的模擬集成電路技術,推出在性能、功耗、可靠性等方面具有國際領先水平，在品質、性價比、技術支持等方面具備較強國際競爭力及良好產業化前景的新一代模擬IC產品，努力成為世界模擬芯片行業的翹楚。
BASiC基本（深圳基本半導體有限公司）
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業領軍企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞典皇家理工學院、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。
基本半導體掌握領先的碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，累計獲得兩百余項專利授權，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。
基本半導體承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數十項研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心，榮獲中國專利優秀獎、深圳市專利獎、2020“科創中國”新銳企業、“中國芯”優秀技術創新產品獎、中國創新創業大賽專業賽一等獎等榮譽。
Innoscience英諾賽科（英諾賽科（深圳）半導體有限公司）
英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。
英諾賽科設計、開發和制造涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）面向各種應用的高性能、高可靠性的氮化鎵功率器件，重點聚焦消費類電子、數據中心、電動汽車以及新能源與儲能等應用領域。擁有大規模量產能力、采用8英寸先進的生產工藝，能夠在產能、器件性能、可靠性、工藝穩定性及價格合理性上具備顯著的競爭優勢。同時也將持續與眾多客戶和合作伙伴攜手致力于氮化鎵技術相關系統和解決方案的開發。
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Tagore泰高（深圳市泰高技術有限公司）
深圳市泰高技術有限公司主要從事基于第三代半導體 硅（Si）基氮化鎵 及 碳化硅（SiC）基氮化鎵技術的集成電路研發和銷售，所研發的氮化鎵芯片已經被超過 60 家歐美國際大公司及30家國內大公司的采用。
泰高技術的研發團隊源于德國公司英飛凌, 其芯片設計中心位于美國芝加哥（Chicago），另外在印度設有研發分部，全球研發人員有 50 位以上， 其中超過 80% 研發人員擁有博士學歷。研發團隊的背景主要在射頻氮化鎵領域深耕超過 10 余年，具有卓越的芯片設計能力，現有產品包括 RF 射頻開關、 射頻高功率放大器、電源功率芯片 和 射頻低噪聲放大器等四大產品系列，全部具有國際領先水平。
“泰高, 讓設計變簡單”是我們理想，實現這個理想得益于他們通過精巧的布局，使得工程師更加便捷設計，為產品更高效、更小、更可靠的全新解決方案帶來更多可能。
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總結
統一快充標準的建立，不僅能提升充電設備的兼容性，為消費者帶來更好的使用體驗，促進行業綠色低碳發展。而且將帶動國內快充產業鏈上下游的整合，形成產業發展新生態，實現中國快充技術在全球標準的引領。
相信未來將會有更多的第三代半導體企業加入進來，共同推動建立兼容、統一的快充標準。
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5、深圳晚報報道：廣東省終端快充行業協會在深成立 終端充電有望實現兼容
文章來源：終端快充行業協會
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