2022年8月16日，2022（夏季）亞洲充電展在深圳成功舉辦，展會同期還舉辦了2022（夏季）USB PD&Type-C亞洲大會，并邀請了17位行業大咖現場與大家探討USB PD&Type-C的應用與未來發展，為大家分享最新的第三代半導體技術以及高效率快充電源解決方案。

杰華特 資深技術市場 & FAE 經理張坤先生為我們帶來《JW ACDC 方案介紹》演講。

張坤先生是資深技術市場 & FAE 經理，負責 ACDC 技術市場推廣和應用支持，具有16年的開關電源工作經驗，在杰華特之前，張坤先生在一家全球最大的代理商負責 ON & NXP ACDC 相關產品DEMO 開發、推廣和應用支持，參與負責聯想、小米、華碩、谷歌等多個項目。

杰華特可提供 ACDC 整套解決方案，包括GaN、Si的應用，拓撲包括 QR、ACF、ZVS、AHB 、PFC等，是國內首家半導體拓撲比較齊全的芯片廠商，功率覆蓋5-240W 。

杰華特 ACDC 氮化鎵解決方案包括ACF、QR、AHB，普通硅方案包括QR、ZVS，在PFC以及協議方面也有相關產品，相當全面。

杰華特 ACDC 應用主推產品有 ：

QR 拓撲

1、JW1515HA SSR氮化鎵直驅控制器

2、JW1566A 480mR氮化鎵合封，功率可以達到 40W

3、JW1565 260mR 氮化鎵合封，功率可以達到 65W

ACF 拓撲

1、JW1550 有源鉗位控制器

PFC 控制器

1、JW1571 CRM PFC 控制器

SR 控制器

1、JW7726B/BH 適用于高頻，支持DCM , CrM & CCM Flyback，ACF 拓撲

2、JW7726BL 適用于低頻， 支持DCM , CrM & CCM Flyback，ACF，AHB 拓撲

AHB 不對稱半橋拓撲

1、JW1556 不對稱半橋控制器，功率覆蓋65W- 240W ，適用于 PD3.1輸出。頻率最高 1.5MHz，支持高壓啟動、X 電容放電，Adaptive ZVS 開關，實現效率最優化，效率達到93.3%@90V、96%@230V。超小封裝 QFN4*4，外圍電路簡潔，便于簡化電路設計，內置多重保護措施，提高系統的可靠性。

JW1515HA是一顆高頻QR氮化鎵控制器，工作在準諧振模式下，其采用SSOP10封裝，頻率限制為170kHz，芯片采用負壓電流采樣，具備精確的6V驅動電壓，可直驅氮化鎵器件。

JW1515HA另一大亮點是采用負壓采樣，減小驅動 Loop，提供穩定高可靠性驅動電壓。此外不需要增加復雜的 Clamp 驅動線路，增加可靠性。

JW1515HA支持7.5-90V寬電壓供電，無需外置穩壓和第二輔助供電繞組即可滿足寬電壓輸出，有效節省空間。

JW1515HA通過串聯 RBIAS 可以限制 CBIAS 提供給 DRV 的電流，實現降低 GaN 的開關速度，優化 EMI。

基于杰華特JW1515HA+JW7726B+JW3119方案設計的65W氮化鎵快充DEMO，采用平面變壓器，支持90-264V寬范圍電壓輸入，支持5-20V五組主流輸出電壓檔位，最大輸出功率65W。

該DEMO三圍僅55*25.5*25.5mm，PCBA功率密度高達1.82W/cc，效率達到92.1%@90Vac、93.3%@230Vac。

JW1566A是一顆內置650V耐壓，480mΩ氮化鎵開關管的合封芯片，采用DFN5*6封裝，滿足30-45W快充應用，相比控制器和氮化鎵分離方案顯著節省器件數量。

芯片支持最高90V供電電壓，最高開關頻率可達170kHz，內置高壓啟動電路，具有超低的待機功耗。此外集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關斷。所提供的器件均支持領存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設計等應用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

基于杰華特JW1566A+JW7726B+JW3119方案設計的33W氮化鎵快充DEMO，支持90-264V寬范圍電壓輸入，具備5-20W五組主流固定電壓檔位，最大輸出功率33W。

PCB尺寸僅25*29*21.5mm，功率密度高達1.92W/cc，滿足時下熱門30W級迷你快充設計。此外效率達到92%@90Vac、93.5%@230Vac。

JW1565是一款內置260mΩ氮化鎵開關管的高頻氮化鎵直驅控制器，采用VDFN6*8-8封裝，芯片內置X電容放電，支持170KHz開關頻率，支持90V供電電壓，無需外置LDO即可滿足3-21V寬電壓輸出需求，滿足45-65W快充應用，搭配PFC可用于100W快充應用。

基于杰華特JW1565+JW7727H+JW3119方案設計的65W氮化鎵快充DEMO，采用非平面變壓器，不過杰華特全套方案搭配巧妙設計，DEMO尺寸仍可以做到48.7*27*25.5mm，功率密度高達1.92W/cc。

該方案支持90-264V寬范圍電壓輸入，支持5-20W五組主流輸出電壓檔位，最大輸出功率65W，效率92.5%@90Vac、94.3%@230Vac。

JW1556 是一款非對稱半橋反激式控制器，采用 QFN4*4 封裝，最高工作頻率達1.5MHz，支持65-240W快充應用。

JW1556在重負載下使用ZVS模式，支持Adaptive ZVS 開關，實現效率最優化。在輕負載下使用DCM模式，支持高壓啟動、X電容放電、突發模式控制、可調線路補償等功能。

JW1556可通過單個外置電阻設置工作頻率，外圍簡潔，設計簡單。芯片內置軟啟動功能，支持VIN OVP、VS OVP、SCP、Brown-In/Out、OTP、CS開路和短路保護等多重保護措施，提高電源系統的可靠性。

基于杰華特AHB電源方案在115Vac和230Vac輸入條件下，5V3A、9V3A、15V3A和20V6.75A四個檔位輸出效率如圖。

JW1550是一顆高頻ACF控制器，在重載下運行在ZVS模式下，輕載下運行在QR模式下。可以實現ZVS開通，提高效率，滿足高頻應用的需求；同時回收漏感能量，進一步提高效率；加入抖頻功能，改善系統的EMI性能；同時支持X-cap放電；適合寬范圍輸出應用，并且節省供電損耗；外圍電路簡單，方便應用。推薦功率范圍為65-200W。

基于杰華特JW1571+JW1550+JW7726BH方案設計的135W氮化鎵快充DEMO，采用PFC+ACF架構，搭配納微氮化鎵器件，支持PD、PPS等主流快充協議。

該DEMO支持90-264V寬范圍電壓輸入，具備5V5A、9V5A、12V5A、15V5A、20V6.75A五組固定電壓檔位。三圍為66.5*58*7*25mm，功率密度為1.38W/cc，效率達到92.2%@90Vac、94.5%@230Vac。

除了以上介紹的 GaN 高頻適配器方案外，杰華特在低頻MOSFET適配器中也有完整的解決方案。

JW1513A/B針對18~20W和20~24W PD快充應用分別內置650V 1.5Ω與1.0Ω 高壓MOSFET；超寬VDD工作范圍：8V~52V，滿足快充要求；超精簡外圍元件設計，同時具備過壓保護、過載保護、短路保護等多重保護。

基于杰華特JW1513A+JW77216+JW3116A方案設計的20W USB-C快充DEMO，支持90-264V寬范圍電壓輸入，具備5V3A、9V2.22A、12V1.67A三組主流輸出檔位。三圍為34.5*32*20.5mm，功率密度為0.88W/cc，效率為89.1%@90Vac、90.8%@230Vac。

JW1516支持驅動MOS管和氮化鎵開關管，內置高壓啟動電路以及加入抖頻功能，改善系統的EMI性能；同時支持X-cap放電，最大130kHz開關頻率，最大支持200W功率。

杰華特JW1526是一顆高頻ZVS控制器，ZVS開通電壓可編程，工作頻率可編程，最高可達270KHz。此外內置負壓電流采樣，支持X-cap放電以及加入抖頻功能，改善系統的EMI性能，支持30-200W快充應用。

基于杰華特JW1571+JW1556+JW7726B方案設計的135W快充DEMO，采用PFC+AHB架構，支持90-264V寬范圍電壓輸入，具備5V5A、9V5A、12V5A、15V5A、20V6.75A五組固定電壓檔位。三圍為66.5*58*7*25mm，功率密度為1.38W/cc，效率達到93.3%@90Vac。

杰華特AHB電源方案空載功耗如圖。

JW1571是一款升壓式PFC控制器，具有高精度的恒壓輸出，采用SOP8封裝，適用于單級升壓功率因數校正（PFC）應用。恒定導通時間控制策略確保高功率因數，無需輸入電壓檢測電路，簡化系統設計，節省損耗；臨界導通模式操作降低了開關損耗，提高了 EMI 性能并大幅提高效率。

JW1571具有多重保護功能，大大提高了系統的安全性和可靠性，包括VCC UVLO、CS過壓保護、FB過壓保護和過溫保護。支持開關電源，適配器和液晶電視應用。

JW7726B/BL/BH支持CCM、DCM、QR、ACF和AHB模式，在振鈴期間能有效防止同步整流MOSFET的誤開通；具有快速關斷能力以便能兼容CCM；在啟動過程中（VCC建立之前）能有效防止門極gate被耦合至開啟電壓，支持高側和低側同步整流應用，使用靈活。

此外具有低靜態電流，輸出電壓檢測功能用于自動切換供電。當輸出電壓高于4.6V時，由輸出電壓供電，以降低穩壓器上的損耗。當輸出電壓低于4.5V時，由開關引腳供電。采用SOT23-6封裝，外圍器件精簡，支持30-200W快充應用。

JW7726B與友商的MP6908A在各條件下的效率對比，兩者表現基本持平。

JW7726B/BL/BH可通過VT腳設置伏秒閾值（右上圖）來避免gate誤開通：即只有當陰影面積S1大于設定的伏秒閾值后才使能開通信號、在VDS小于-140mV后開通gate；同時陰影面積S2會小于設定的伏秒閾值，這樣在振鈴期間即使觸碰到開通閾值-140mV也不會開通SR MOS，從而防止誤開通。