前言

隨著人們環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，氮化鎵以高效節(jié)能的優(yōu)勢(shì)，得到了迅猛的發(fā)展。氮化鎵應(yīng)用在快充中，提高了快充的轉(zhuǎn)換效率，顯著縮小體積。氮化鎵還可廣泛應(yīng)用到家用產(chǎn)品中，如電動(dòng)自行車(chē)充電器，LED照明等，在廣闊的應(yīng)用中，發(fā)揮節(jié)能降耗的功效。

氮化鎵驅(qū)動(dòng)器是氮化鎵應(yīng)用必不可少的重要芯片，由于氮化鎵具有極低的柵極電荷和較低的開(kāi)啟電壓，需要外置驅(qū)動(dòng)器，提供精準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)電壓，并在高頻開(kāi)關(guān)時(shí)提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流。從而安全可靠的驅(qū)動(dòng)氮化鎵開(kāi)關(guān)管，將氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢(shì)充分發(fā)揮。

uP1966E半橋驅(qū)動(dòng)器登場(chǎng)

半橋電路是升壓或降壓應(yīng)用的重要基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)和筆記本充電器、電視、太陽(yáng)能電池板、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)等場(chǎng)景中。面對(duì)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，uPI 推出了針對(duì)半橋拓?fù)鋺?yīng)用的氮化鎵驅(qū)動(dòng)器 uP1966E，下面充電頭網(wǎng)為大家介紹這款新品的亮點(diǎn)。

uPI uP1966E 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋拓?fù)渲械母邆?cè)和低側(cè) GaN FET。 芯片集成了內(nèi)部自舉電源和 UVLO。uP1966E 具有分離式柵極輸出，可以在高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)通道上以數(shù) MHz 的速度工作，并且能夠獨(dú)立調(diào)整開(kāi)啟和關(guān)閉轉(zhuǎn)換時(shí)間。

uPI uP1966E 采用 1.6mm WLCSP1.6x1.6-12B 封裝，可降低封裝電感，從而提高高頻運(yùn)行性能。內(nèi)置鉗位電路用于高端驅(qū)動(dòng)器，以防止不需要的瞬變損壞 GaN 器件柵極。 uP1966E 有兩個(gè) PWM 輸入，可獨(dú)立控制高端和低端驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

uPI uP1966E demo 如上圖所示，芯片內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)器耐壓達(dá)85V，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。可支持USB PD 3.1 48V應(yīng)用，將氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)引入到高壓供電的設(shè)備，提高效率，降低發(fā)熱。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

uPI 此次推出的半橋拓?fù)涞夠?qū)動(dòng)器 uP1966E，耐壓高達(dá)85V，契合48V供電應(yīng)用，不僅可用于 USB PD 3.1 48V 設(shè)備供電同步降壓，還可用于數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)等大功率應(yīng)用，讓氮化鎵高頻高效的特性得以在更多場(chǎng)景落地。