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前言

海備思是一家知名的3C配件廠商，旗下產品主要分為轉接器，連接線和外接配件三大品類。充電頭網拿到了海備思推出的一款65W氮化鎵充電器，這款充電器最顯著的特點是內置了視頻轉接功能，配備HDMI接口和USB-A接口，可用于筆記本和SWITCH游戲機視頻擴展及充電功能，方便實用。

充電頭網已經拿到海備思這款SWITCH氮化鎵充電器+擴展塢，通過連接這款充電器到SWITCH游戲機，可以取代傳統充電器+底座的組合，使用和攜帶更加便攜。下面充電頭網就對這款充電器進行拆解，看看內部設計做工如何。

海備思多功能氮化鎵充電器外觀

充電器為經典直板造型設計，兩部分外殼分別為經典紅藍配色，對于任天堂老粉來說，這配色簡直不要太熟悉。

機身正面印有HAGiBiS（海備思）品牌。

另一面印有SWITCH 65W GaN Dock名稱。

輸入端外殼上印有充電器參數

型號：TC-064

輸入：100-240V~50/60HZ 1.5A

輸出：

USB-A：5V1A（5W）

USB-C：5V3A、9V3A、12V3A、15V2.6A、20V3A（65W）

USB-C+USB-A：60W+5W=65W Max

制造商：東莞市和創綠能電子科技有限公司

監制：上海新協實業有限公司

充電器已經通過了CCC、FCC、RoHS認證

充電器配備可折疊國標插腳，攜帶方便且不會刮傷包里其它設備。

輸出端配有1A1C雙USB接口以及4K HDMI接口，均為黑色膠芯，接口旁印有相應的名稱和參數信息。

HDMI接口旁印有4K字樣，性能相當強悍。

測得充電器機身高度為59.59mm。

寬度為47.15mm。

厚度為30.78mm。

和蘋果61W充電器對比，體積優勢明顯。

拿在手上的大小直觀感受。

凈重約為121g。

使用ChargerLAB POWER-Z KM002C測得USB-C口僅支持PD3.0快充協議。

并且具備5V3A、9V3A、12V3A、15V2.6A、20V3A五組固定電壓檔位。

測得USB-A口支持Samsung 5V2A、DCP協議。

海備思多功能氮化鎵充電器拆解

對海備思多功能氮化鎵充電器有了基本了解后，下面繼續對其進行拆解，看看內部是如何設計的。

首先沿外殼接縫撬開充電器外殼，充電器使用折疊插腳，使用彈片壓接與導線連接到PCBA模塊供電。

抽出充電器PCBA模塊，充電器PCBA模塊包裹散熱片散熱，對應低壓側的位置粘貼膠帶絕緣。

PCBA模塊輸入端焊接一塊小板，小板上焊接NTC熱敏電阻和EMI濾波電路。

充電器內部PCBA模塊正反面黃銅散熱片均焊接固定，散熱片纏繞膠帶絕緣，并貼有導熱墊輔助散熱。

散熱片焊接處特寫。

使用游標卡尺測得PCBA模塊長度約為56.5mm。

PCBA模塊寬度約為42.25mm。

PCBA模塊厚度約為26.11mm。

焊接拆下PCBA模塊表面的散熱片，PCBA模塊正反面均覆蓋導熱墊。

充電器PCBA模塊輸入端一覽，垂直焊接一塊小板，小板上焊接整流橋及共模電感，充分利用空間并均攤發熱。

PCBA模塊輸出端焊接一塊小板，小板上焊接USB-C母座，USB-A母座以及HDMI母座，用于USB擴展和視頻轉接功能。

PCBA模塊正面一覽，左上角為高壓濾波電容，電容下方為變壓器，變壓器下方為輸出濾波電容。右上角焊接整流小板，下方是藍色Y電容和協議芯片。

背面焊接初級主控芯片和氮化鎵開關管，初級與次級之間有隔離槽，在右下角是同步整流控制器。

通過對PCBA的觀察發現，海備思這款多功能氮化鎵充電器采用QR反激開關電源架構，采用必易微氮化鎵主控芯片搭配英諾賽科氮化鎵開關管，由協議芯片根據輸出需求調節輸出電壓，充電器主板上焊接一塊單獨的視頻轉換小板，用于USB-C輸出和視頻轉換功能。下面我們就從輸入端開始了解各個器件的信息。

輸入端一覽，焊接保險絲，左側的小板上焊接NTC熱敏電阻，EMI濾波電路和整流橋，主板上焊接濾波電容。

輸入端保險絲焊接在充電器主板上，延時保險絲規格為3.15A 250V。

小板正面焊接NTC熱敏電阻，安規X2電容和共模電感。

小板背面焊接兩顆整流橋。

NTC熱敏電阻特寫，用于抑制充電器上電時為電解電容充電的浪涌電流。

安規X2電容來自東莞成希，規格為0.22μF。

共模電感采用絕緣線和漆包線繞制。

交流電經過EMI電路濾波后，由兩顆MSB407整流橋將交流電轉換為脈動直流電，整流橋規格為4A，1000V，使用兩顆并聯連接，均攤發熱。

整流橋輸出的脈動直流電通過電解電容濾波，其中兩顆來自CyXincon，規格為22μF 400V。

差模電感采用漆包線繞制在磁環上，外套熱縮管絕緣。

另外兩顆高壓濾波電容也來自CyXincon，規格為33μF 400V。

充電器初級控制器采用必易微 KP2202，是一顆高頻準諧振反激PWM控制器，芯片內置高壓啟動和X電容放電功能，具備快速啟動能力和低待機功耗優勢。芯片支持500kHz開關頻率，谷底開通降低損耗，芯片支持綠色節能模式，待機功耗低于30mW。

必易微KP2202最高工作頻率分500kHz、300kHz、140kHz三檔可調；通過峰值電流抖動實現抖頻功能；VDD供電范圍10-112V；芯片集成完善全面的保護功能，內置驅動器可驅動CoolMos和GaN開關管，此前該芯片已經被傲基65W 2C1A超級硅充電器采用。

為初級主控芯片供電的濾波電容，規格為10μF 100V。

高壓開關MOS管采用英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片，額定耐壓為650V，峰值耐壓750V，導阻低至0.2Ω，符合JEDEC標準的工業應用要求，支持ESD保護，支持開爾文源極。最高工作溫度150℃。

INN650D02 “InnoGaN”開關管高頻特性好，且導通電阻小，適合高頻高效的開關電源應用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開關電源應用。

值得一提的是，INN650D02 “InnoGaN”開關管基于業界領先的8英寸生產加工工藝，是目前市面上最先量產的先進制程氮化鎵功率器件，這項技術的大規模商用將推動氮化鎵快充的快速普及。

英諾賽科 INN650D02 詳細資料。

充電頭網通過拆解了解到，該氮化鎵開關管還被SPRUCE 140W 3C1A無線充二合一充電座、安述240W氮化鎵+碳化硅適配器、QCY 65W 2C1A氮化鎵快充、聯想小新100W雙C口氮化鎵快充、努比亞120W 2C1A三口氮化鎵快充、紅魔手機6 Pro標配120W PD氮化鎵快充、REMAX 100W氮化鎵充電器、摩米士100W 2A2C氮化鎵快充、魅族65W氮化鎵充電器等多款產品采用，芯片質量獲得市場認可。

開關變壓器采用ATQ2515磁芯，使用膠帶嚴密纏繞絕緣。

拆下充電器PCB正面焊接的直插器件和輸出小板，主板上還焊接光耦，協議芯片，同步整流管和VBUS開關管。

反饋光耦來自奧倫德，PC817光耦用于輸出電壓反饋調節。

兩顆藍色Y電容來自東莞成希。

同步整流控制器來自必易微，型號KP4060，支持DCM、CCM、QR工作模式和有源鉗位 Flyback 拓撲，支持600kHz工作頻率，集成高壓檢測電路和高壓供電電路，集成智能雙路LDO，無需輔助繞組供電，支持輸出短路SR工作。采用了節省空間的SOT23-6封裝。

KP4060支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD等協議的快充領域。并且支持高側或低側配置。<30ns 開通和關斷延時，Gate驅動有源鉗位技術，防止寄生耦合導致的誤開通，具有專利的智能電流過零關斷和智能開通檢測技術防止誤開通，確保安全使用。

同步整流管來自芯控源，型號AGM1010A，是一顆耐壓100V的NMOS，導阻7.5mΩ，由同步整流控制器控制開關進行同步整流。

輸出濾波電容來自萬京源，PZ系列固態電容，規格為680μF 25V，兩顆并聯用于輸出濾波。

這款充電器內置的協議芯片為智融SW2303，這是一款高集成度的 Type-C 口/Type-A 口快充協議芯片，支持 PD、QC、FCP、高低壓 SCP、AFC、SFCP以及PE等主流快充協議，支持光耦反饋和 FB 反饋兩種工作模式。SW2303 集成了 CV/CC控制環路，Type-C 接口邏輯，快充協議控制器，以及多種安全保護功能。配合 ACDC 或 DCDC 以及少量的外圍元器件，即可組成完整的高性能的Type-C 口/Type-A 口快速充電解決方案。