前言

隨著 PD3.1 市場(chǎng)的火熱，越來(lái)越多的電源廠商開(kāi)始布局相關(guān)電源產(chǎn)品，工程師在開(kāi)發(fā)大功率PD3.1電源時(shí)，可通過(guò)采用氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片替代傳統(tǒng)方案，簡(jiǎn)化PFC電路設(shè)計(jì)；不僅如此，氮化鎵驅(qū)動(dòng)合封芯片也能在AHB拓?fù)涞葢?yīng)用中大展身手，應(yīng)用前景十分廣泛。

近期，成都氮矽科技有限公司推出了兩款合封氮化鎵芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及其驅(qū)動(dòng)器封裝在一個(gè)芯片內(nèi)部，降低了氮化鎵快充產(chǎn)品開(kāi)發(fā)門檻，豐富了合封氮化鎵電源芯片市場(chǎng)。

氮矽科技合封氮化鎵新品登場(chǎng)

氮矽 DXC0765S2C 是一款集成 650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及驅(qū)動(dòng)器的合封氮化鎵芯片，耐壓 650V，導(dǎo)阻 400mΩ，最大漏源極電流 7A，單極正電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓 0V~6V，支持3.3V和5V控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)速度超10MHz，具有零反向恢復(fù)損耗。

氮矽 DXC1065S2C 導(dǎo)阻 200mΩ，最大漏源極電流 10A，其余主要參數(shù)與 DXC0765S2C 相同；DXC1065S2C 和 DXC0765S2C 可應(yīng)用在快充電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、PFC電路、LLC轉(zhuǎn)換器、無(wú)線電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

氮矽合封氮化鎵產(chǎn)品采用與單GaN管相同的 DFN5x6 封裝，具備很強(qiáng)的通用性，相比傳統(tǒng)分離驅(qū)動(dòng)方案，可節(jié)省約40%占板面積；此外，采用合封氮化鎵芯片可有效減少驅(qū)動(dòng)回路走線，降低寄生參數(shù)，應(yīng)用極限頻率更高。

上圖為分離驅(qū)動(dòng)方案與合封驅(qū)動(dòng)方案的驅(qū)動(dòng)振鈴電壓測(cè)試圖，在下拉電阻同為0Ω的情況下，實(shí)測(cè)分離驅(qū)動(dòng)方案的驅(qū)動(dòng)振鈴電壓為1.8V，而合封驅(qū)動(dòng)方案的驅(qū)動(dòng)振鈴電壓僅僅只有0.24V。增強(qiáng)型氮化鎵晶體管的閾值電壓一般為1~2V，如果應(yīng)用工程師選擇增加下拉電阻的阻值來(lái)防止功率管的誤開(kāi)啟，那么勢(shì)必會(huì)影響管子的關(guān)斷速度，導(dǎo)致應(yīng)用頻率受到限制。

上圖為分離驅(qū)動(dòng)方案與合封驅(qū)動(dòng)方案的溫升測(cè)試圖，由于省去了下拉電阻，所以其驅(qū)動(dòng)損耗也低于分離驅(qū)動(dòng)方案，同樣的應(yīng)用條件下，合封驅(qū)動(dòng)方案溫度更低，效率更高。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮矽科技推出的兩款合封氮化鎵芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，采用 DFN5x6 封裝，導(dǎo)通電阻分別為 400mΩ 和 200mΩ。通過(guò)將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及其驅(qū)動(dòng)器封裝在一個(gè)芯片內(nèi)部，既能夠提升整體方案的性能，同時(shí)也能減少PCB板的占用，縮小尺寸并減少BOM成本。

氮矽科技2019年成立于成都高新區(qū)，2020年初推出氮化鎵專用驅(qū)動(dòng)器，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，同年底量產(chǎn)多款650V氮化鎵晶體管，包括全球最小650V氮化鎵器件。截止2022年，氮矽科技已量產(chǎn)各種封裝類型的650V/80-400mΩ氮化鎵功率器件，以及80-200V氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器、超高速，寬范圍輸出的低側(cè)氮化鎵驅(qū)動(dòng)器等。

氮矽科技憑借在氮化鎵領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，敢于人先，在氮化鎵器件設(shè)計(jì)、產(chǎn)品封裝和測(cè)試領(lǐng)域先后實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，使其在功率氮化鎵及其驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域具備強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。