前言

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙復合半導體材料，電壓耐受能力比傳統硅材料高很多，而且不會影響導通電阻性能，因此可以降低導通損耗。此外，GaN產品的開關能效也比硅基晶體管高，從而可以取得非常低的開關損耗。開關頻率更高意味著應用電路可以采用尺寸更小的無源器件。

所有這些優點讓設計人員能夠減少功率變換器的總損耗（減少熱量），提高能效。 因此，GaN 能更好地支持電子產品輕量化，舉例來說，與目前隨處常見的充電器相比，采用GaN 晶體管的PC機電源適配器更小、更輕。

泰高技術的首席產品運營官 Tino Pan 表示：“基于 GaN 的產品商用已經是功率半導體的下一個攻堅階段，我們準備好釋放這一激動人心的技術潛力。今天，泰高技術發布了合封氮化鎵半橋功率芯片的新系列的首款產品，為消費、工業和汽車電源帶來突破性的性能。

泰高TTHB100NM登場

半橋電路是電力電子行業的重要基礎，廣泛應用在智能手機和筆記本充電器，電視，太陽能電池板，數據中心和電動汽車等場景中。面對不斷增長的市場，TagoreTech 泰高技術推出了一款集成驅動的合封氮化鎵半橋功率芯片TTHB100NM，下面充電頭網為大家介紹一下這款新品的特點。

泰高技術 TTHB100NM 是一款集成2顆增強型氮化鎵650V 100mΩ 氮化鎵開關管及對應的驅動器的半橋功率芯片，用于高側、低側和電平轉換。它內置了UVLO（欠壓鎖定）、過溫和帶故障輸出信號的過電流保護，芯片內集成了用于高側的啟動電源。

泰高技術 TTHB100NM 組成的氮化鎵半橋，改為一顆器件取代，大大減小適配器初級元件數量和面積。

泰高技術 TTHB100NM 具有12V~20V的寬電源工作范圍，可應用在DC–DC轉換、逆變器、手機/筆記本充電器、LED/電機驅動、圖騰柱無橋PFC 應用、高頻LLC轉換器、服務器/AC-DC電源、有源鉗位反激等場景中。

泰高技術 TTHB100NM 芯片采用低電感8mm×10mm QFN封裝，低電感封裝的集成驅動器允許在高壓和高頻中安全運行。開關頻率高達2MHz，傳輸延遲低至50ns，支持50V/ns dV/dT 抗擾度。

上圖為泰高 TTHB100NM 功率芯片的引腳說明圖，芯片采用外接電阻控制轉換速率以抑制電磁干擾，可通過具有TTL和/或CMOS閾值的PWM信號（單端或差分）運行。

深圳市泰高技術有限公司主要從事基于第三代半導體 硅（Si）基氮化鎵 及 碳化硅（SiC）基氮化鎵技術的集成電路研發和銷售，所研發的氮化鎵芯片已經被超過 60 家歐美國際大公司及30家國內大公司的采用。

TagoreTech 泰高技術的研發團隊源于德國公司英飛凌, 其芯片設計中心位于美國芝加哥（Chicago），另外在印度設有研發分部，全球研發人員有 50 位以上， 其中超過 80% 研發人員擁有博士學歷。研發團隊的背景主要在射頻氮化鎵領域深耕超過 10 余年，具有卓越的芯片設計能力。

TagoreTech 泰高技術現有產品包括 RF 射頻開關（GaN-On-Si 寬帶技術） 、 射頻高功率放大器（GaN-On-SiC DHEMT 技術）、電源功率芯片（GaN-On-Si EHEMT 技術）和 射頻低噪聲放大器（GaAs 技術）  四大系列，技術處于國際領先水平。

TagoreTech 泰高技術專注于AC-DC中高功率氮化鎵產品設計，已和onsemi / NXP / JWT / Silergy / KIWI  / Southchip / Ismartware等半導體品牌成為重要合作伙伴。為了中高功率的產品可靠性測試，2022年4月泰高技術與航天科創檢測有限公司簽署合作，建立聯合實驗室；將使用國家級設備為AC-DC中高功率氮化鎵產品提供高可靠性驗證機制。

“泰高, 讓設計變簡單”是我們理想，實現這個理想得益于我們通過精巧的布局，使得工程師更加便捷設計，為產品更高效、更小、更可靠的全新解決方案帶來更多可能。

充電頭網總結

TagoreTech 泰高技術推出的集成驅動的合封氮化鎵半橋功率芯片 TTHB100NM，專為半橋架構的開關電源設計。TTHB100NM 采用的 8x10mm QFN封裝，相比兩顆傳統的8*8的GaN開關管加上獨立的驅動器，占板面積大大縮小。同時合封器件也大大減小了寄生效應對效率的影響，提高電源產品的效率和可靠性。泰高技術 TTHB100NM 芯片，將于 2022 年第三季度提供樣品。