前言

氮化鎵GaN作為一種第三代半導體材料，近幾年時間里在消費類電源市場中得到了廣泛應用。尤其是隨著各大手機、筆電品牌紛紛入局氮化鎵快充，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場中的普及。

氮化鎵技術的成熟為快充電源市場更新迭代注入了能量，根據充電頭網不完全統計，目前市面除了少數內置驅動電路的GaN功率器件對外部驅動器要求較低之外，其余多數GaN功率器件均為單管設計，應用時需要采用外部驅動電路。

而氮化鎵直驅控制器則借助內置驅動電路的設計，讓GaN功率器件在應用時可以省去驅動電路，簡化外圍電路設計，并提高電源產品的功率密度，因此在氮化鎵技術快速普及中發揮著重要作用。

放眼當下市場，已經量產商用的氮化鎵直驅控制器多為國外廠商產品，客戶的選擇余地十分有限，同時也蘊藏著巨大的商機。近日，珠海智融科技就推出了一款氮化鎵直驅控制芯片SW1106，致力于實現氮化鎵直驅控制器的國產化替代，下面充電頭網為大家介紹一下這款新品的亮點。

智融SW1106登場

智融 SW1106 是一顆支持增強型氮化鎵開關管直驅的高頻反激準諧振控制器，芯片內部集成700V高壓啟動電路和X電容放電功能。同時內部集成氮化鎵驅動器，驅動電壓為6V，可直接驅動增強型氮化鎵開關管。

智融 SW1106 采用SSOP-10封裝，運行在帶谷底鎖定的谷底開啟工作模式，并集成頻率抖動功能以優化EMI性能，支持突發模式。供電采用雙VDD供電設計，在輸出電壓USB PD寬輸出場合降低控制器的功率損耗，支持氮化鎵快充，充電器以及開關電源應用。

智融 SW1106 內部集成輸入電壓保護，供電過壓保護，輸出過壓保護，逐周期電流限制，過載保護，輸出過流保護，電流取樣電阻開路和短路保護，芯片內置過熱保護，支持外接熱敏電阻進行器件過熱保護，保護功能全面。

得益于氮化鎵器件比傳統的硅器件的開關速度更快、通態電阻（RDS-on）低、驅動損耗更小，在小型化電源等需要更高頻率的應用場合中，相較于傳統硅器件具有無可比擬的高轉換效率和低發熱特性。這也成為了氮化鎵替代傳統硅器件的重要原因，并讓氮化鎵成為未來功率器件的主流發展方向。

逐漸龐大的氮化鎵快充市場以及不斷豐富的氮化鎵功率器件，對控制器和驅動器形成了強需求。為此，越來越多的國產電源芯片廠商針對氮化鎵快充的應用推出了內置驅動的主控，將驅動器集成在主控芯片內部，可以直接驅動GaN功率器件，一方面精簡了外圍電路設計，同時也提升產品穩定性并節約成本。

智融 SW1106 氮化鎵直驅控制器的推出，一方面實現了氮化鎵控制器的國產化替代，為氮化鎵快充提供了新的解決方案。另外一方面也豐富了智融在快充電源的產品線，實現初次級的芯片供應，簡化采購流程。