受疫情影響，原定于3月23日-3月25日舉辦的2022（春季）亞洲充電展已經(jīng)延期舉辦，而展會(huì)期間的技術(shù)交流峰會(huì)也將轉(zhuǎn)為線上。據(jù)悉，2022（春季）全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會(huì)線上直播將于3月30日舉辦。

第三代半導(dǎo)體是指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與第一代硅（Si）、第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，使其在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，是世界各國(guó)半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。

近年來(lái)，大功率、高密度快充電源逐漸成為市場(chǎng)主要發(fā)展趨勢(shì)，同時(shí)用于實(shí)現(xiàn)高密度、大功率的PFC控制器、LLC控制器、QR控制器以及ACF控制器也逐步齊全，為氮化鎵、碳化硅的大規(guī)模應(yīng)用提供了極佳的外部環(huán)境。尤其是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布帶來(lái)了240W的全新場(chǎng)景，進(jìn)一步拓展了氮化鎵和碳化硅的應(yīng)用市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2022年第三代半導(dǎo)體器件在快充市場(chǎng)的應(yīng)用將有望突破1億顆。

在2022全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會(huì)上，充電頭網(wǎng)將邀請(qǐng)能納微半導(dǎo)體、PI、華微電子、英嘉通、鎵未來(lái)、美浦森、必能信、中南大學(xué)等多家業(yè)內(nèi)知名的GaN功率器件原廠、SiC器件原廠以及配套廠商出席，由業(yè)內(nèi)資深專家和從業(yè)人員與大家探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，助推氮化鎵以及碳化硅快充技術(shù)的普及。

活動(dòng)時(shí)間

3月30日（周三）14:00-16:20

活動(dòng)議程

合作聯(lián)系

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