2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準在納斯達克資本市場（Nasdaq Capital Market?，簡稱“納斯達克”）上市。

Transphorm股票在納斯達克市場的交易預計將于2022年2月22日開市時開始，并將繼續使用股票代碼“TGAN”。在轉入納斯達克市場前，Transphorm的股票將繼續在OTCQX上交易。公司股東無需因轉板納斯達克而采取任何行動。

Transphorm總裁兼聯合創始人Primit Parikh對此公告評論道：“轉板納斯達克是Transphorm發展歷程中的一個重要里程碑，既證明了Transphorm團隊的全心投入和辛勤工作，也證明了我們在打造全球領先的氮化鎵公司的過程中與寶貴客戶和合作伙伴之間的密切協作?！?/p>

Primit Parikh表示：此次轉板將提高Transphorm在資本市場上的知名度，增加全球機構投資者的贊助和公司股票交易量的流動性。

Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra表示：“這一成就和認可無論對氮化鎵還是Transphorm而言都是一個重要基準。憑借我們在氮化鎵領域領先全球的創新和涵蓋1000多項專利的強大知識產權組合，我們很自豪成為氮化鎵功率轉換領域的全球領導者。”

Umesh Mishra認為：“氮化鎵功率轉換領域是繼氮化鎵LED和氮化鎵射頻晶體管之后氮化鎵的下一個龐大市場。”

氮化鎵的優勢：

雖然功率轉換普遍存在于電能從一種形式轉換成另一種形式的過程中，但它本質上是一個有損耗的過程，會伴隨能量浪費——無論是手機充電器、筆記本電腦充電器、電動汽車傳動系統或充電器、電池組中的能量存儲和回收、可再生能源、運動控制還是機器人技術。與硅和碳化硅等傳統材料相比，氮化鎵功率半導體憑借其極為卓越的電能節約和系統尺寸/重量減輕能力，正迅速塑造價值數十億美元的功率半導體行業的現在和未來。

TGAN成功的原因：

Transphorm的專利氮化鎵平臺在功率轉換應用性能要求的關鍵方面不同于競爭對手的解決方案——從45W快速充電器/電源適配器到4kW游戲、數據中心服務器、加密貨幣挖礦和工業電源供應，再到可再生能源/能源及幾十千瓦的更高功率汽車轉換器和逆變器應用。Transphorm是少數幾家垂直整合的高壓氮化鎵制造商之一，通過創新、外延晶片（核心原始材料）和制造工藝控制其氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)設計。這使得Transphorm在以下方面取得了成功：

1、作為市場上公認的領先GaN供應商，擁有千瓦級產品，在高功率產品中占據主導地位，包括加密貨幣挖礦、游戲、數據服務器、工業和可再生能源應用，可以對能源和環境產生重大影響。僅在2022年，TGAN的高功率產品預計將減少超過5萬公噸的碳排放；

2、低功率適配器和快速充電器持續增長，具備高速氮化鎵性能與類似硅的簡易設計；

3、一流的質量+可靠性，擁有大量可重復性和符合汽車Q101標準的產品組合；

4、以輕資產垂直整合模式實現了強大的制造足跡。

此外，Transphorm最近宣布，其產品收入實現連續八個季度增長，同比增長220%，達到創紀錄的360萬美元季度營收，并在2021年12月為45W至300W的電源適配器和快速充電器應用發運超過100萬個SuperGaN? Gen IV FET。

關于Transphorm：

Transphorm Inc (股票編號：OTCB TGAN)成立于2007年，總部位于加利福尼亞州戈萊塔，是氮化鎵（GaN）功率半導體器件的先驅和領先供應商，同時也是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家。

目前擁有員工100多人，其中博士18人，在氮化鎵領域工作經驗總和超過300年。擁有關于氮化鎵研發和應用的專利超過1000項。在美國加州和日本都設有工廠，年產能達三萬片。

Transphorm公司也是最早拿到國際功率器件驗證JEDEC (JESE-22) 和AECQ101的GaN生產商之一。所生產的元件從2009年開始已被廣泛應用在大功率電源上，包括服務器電源、游戲機、伺服器、電動汽車等等。 累計總運行量已達4千兆瓦小時，而統計應用失效率接近零。

成立至今，Transphorm已與MICROCHIP微芯、Nexpria、FUJITSU富士通、KKP、AFSW、YASKAWA安川電機、MARELLI等眾多廠商達成戰略合作。2020年成功在美國上市。

 Transphorm是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家，憑借完整的制造控制+GaN技術領先兩大優勢，Transphorm可為客戶提供充足且優質的氮化鎵產品。此外還可為客戶提供各種產品設計應用方案。

Transphorm擁有關于氮化鎵研發和應用的專利超過1000項，在業內處于領先地位。

Transphorm此前一直專注于充電樁、服務器電源等大功率應用領域，但近幾年快充市場發展十分迅猛，對氮化鎵產品需要量非常高，因此Transphorm也積極研發了一系列快充應用示范以滿足市場需求。

Transphorm的氮化鎵器件可應用在功率從30W到350W的快充產品上，開關頻率一般設定在200KHz至400KHz之間，從而發揮氮化鎵高速和低開關功耗優勢，達到體積小、效率高的優勢。

Transphorm適配器解決方案–可靠、高性能，與市場上多個領先的控制器/驅動器兼容。

Transphorm的氮化鎵產品相較硅MOS和e-mode GaN都更快、更小、更高效、更穩健?；赥ransphorm氮化鎵器件可設計出功率密度超30W/In3的小體積快充產品，而且整體效率在94%以上，溫度低于95℃，為2級標準中的最佳溫度。

此外Transphorm的氮化鎵產品門限電壓18V，還支持0V關斷，因此對市面上的主流控制器有很好的兼容性，也無需增加門極驅動。

功率從幾十瓦到10000W，Transphorm都能為客戶提供相應的氮化鎵器件，而且支持和一般MOS一樣的DFN8*8、TO220、TO247封裝，簡單的替換即可立馬工作，十分方便簡單，而且成本相對來說也更低。