11月26日，由充電頭網主辦的2021（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展在深圳南山科興科學園如期舉行。作為2021年年度備受矚目的消費類快充電源行業展會，現場匯聚近百家USB PD＆Type-C產業鏈企業，并有多達上千款的新品展出。同時，本次展會也吸引了眾多專業觀眾蒞臨現場，成為快充產業相關人士面對面洽談、技術交流、學習成長的平臺。

在展會期間同步舉辦的研討會上，20位行業大咖發表了演講，分享了最新的行業趨勢，并介紹了公司最新的產品布局。

Transphorm亞太區銷售副總裁 嚴啟南先生發表了《Transphorm氮化鎵在快充應用方案和優化》主題演講。

嚴啟南先生畢業于香港中文大學物理系，從事功率半導體生產、銷售三十多年，專注于第三代半導體應用及推廣，現職Transphorm亞太區銷售副總裁。

Transphorm?Inc?(股票編號：OTCB?TGAN)成立于2007年，總部位于加利福尼亞州戈萊塔，是氮化鎵（GaN）功率半導體器件的先驅和領先供應商，同時也是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家。

目前擁有員工100多人，其中博士18人，在氮化鎵領域工作經驗總和超過300年。擁有關于氮化鎵研發和應用的專利超過1000項。在美國加州和日本都設有工廠，年產能達三萬片。

Transphorm公司也是最早拿到國際功率器件驗證JEDEC?(JESE-22)?和AECQ101的GaN生產商之一。所生產的元件從2009年開始已被廣泛應用在大功率電源上，包括服務器電源、游戲機、伺服器、電動汽車等等。?累計總運行量已達4千兆瓦小時，而統計應用失效率接近零。

成立至今，Transphorm已與MICROCHIP微芯、Nexpria、FUJITSU富士通、KKP、AFSW、YASKAWA安川電機、MARELLI等眾多廠商達成戰略合作。2020年成功在美國上市。

?Transphorm是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家，憑借完整的制造控制+GaN技術領先兩大優勢，Transphorm可為客戶提供充足且優質的氮化鎵產品。此外還可為客戶提供各種產品設計應用方案。

Transphorm擁有關于氮化鎵研發和應用的專利超過1000項，在業內處于領先地位。

Transphorm此前一直專注于充電樁、服務器電源等大功率應用領域，但近幾年快充市場發展十分迅猛，對氮化鎵產品需要量非常高，因此Transphorm也積極研發了一系列快充應用示范以滿足市場需求。

Transphorm的氮化鎵器件可應用在功率從30W到350W的快充產品上，開關頻率一般設定在200KHz至400KHz之間，從而發揮氮化鎵高速和低開關功耗優勢，達到體積小、效率高的優勢。

Transphorm適配器解決方案–可靠、高性能，與市場上多個領先的控制器/驅動器兼容。

Transphorm的氮化鎵產品相較硅MOS和e-mode GaN都更快、更小、更高效、更穩健。基于Transphorm氮化鎵器件可設計出功率密度超30W/In3的小體積快充產品，而且整體效率在94%以上，溫度低于95℃，為2級標準中的最佳溫度。

此外Transphorm的氮化鎵產品門限電壓18V，還支持0V關斷，因此對市面上的主流控制器有很好的兼容性，也無需增加門極驅動。

功率從幾十瓦到10000W，Transphorm都能為客戶提供相應的氮化鎵器件，而且支持和一般MOS一樣的DFN8*8、TO220、TO247封裝，簡單的替換即可立馬工作，十分方便簡單，而且成本相對來說也更低。

Transphorm氮化鎵器件已經量產并應用在高通、羅馬仕、HELPERS LAB等品牌快充產品上。

基于解決方案、數據、經驗和客戶反饋，相較于其它用于快充上的氮化鎵器件，Transphorm的氮化鎵產品開關頻率可達400KHz，支持GaN直驅，支持4V開通（7ns）和0V關斷（2ns），本身在結構和性能上有天然優勢，因此可靠性更高，成本更低。

Transphorm的氮化鎵器件應用設備總功率超過350MW，運行時間和超過200億小時，而FIT小于0.4，可見Transphorm的氮化鎵器產品具有一流的可靠性。

Transphorm氮化鎵器件應用方案匯總表，可適配英飛凌、安森美、TI、Silanna等廠商的控制器，輸出功率可從45W做到350W。

基于Transphorm氮化鎵器件設計的兩套65W單C口快充方案：

1、搭配Silanna? SZ1131 ACF控制器，方塊造型，尺寸33.95*30.47*34.5mm，功率密度29.85W/In3，90V/115V/230V/265V下的滿載效率分別為93.05%/94.06%/94.53%/94.36%，能夠滿足溫升要求，也通過EMI要求，已經量產；

2、搭配安森美NCP1342控制器，柱狀造型，尺寸38*48*23mm，功率密度25.4W/In3，90V/115V/230V/265V下的滿載效率分別為93.08%/94.19%/93.86%/93.40%，也能夠滿足溫升要求，通過EMI要求，已經量產。

搭配安森美控制器的Transphorm氮化鎵器件是TP65H300G4LSG，650V耐壓，導阻240mΩ，PQFN8X8封裝，各電壓下的滿載效率如表格一覽。

Transphorm 240mΩ氮化鎵器件和175mΩ e-mode GaN效率對比，從表格可見輸入電壓115V情況下，Transphorm氮化鎵器件效率全程保持優勢；輸入電壓265V時，輸出功率在5-50W區間內，Transphorm的效率要高出0.13%到2.1%。

基于Transphorm 240mΩ氮化鎵器件和安森美控制器設計的產品全部通過了EMI要求，而且已經實現量產。

另一套ACF方案氮化鎵器件也是采用Transphorm TP65H300G4LSG，工作頻率140kHz，氮化鎵器件溫度小于95℃，具有5V/9V/15V/20V四組輸出電壓檔位。

高通100W單C口快充：采用安森美NCP1623和NCP1342控制器，采用TPH兩顆氮化鎵器件，導阻150m?和240m?，功率密度18W/In3，通過EMI要求，輸入電壓265V效率達94%，輸入電壓90V效率超過92%。

在45W級快充上Transphorm提供兩套解決方案：

1、搭配英飛凌PAG-1P，帶次級反饋的QR電源方案，TPH GaN導阻240m?/480m?，支持90-265V輸入，待機功耗小于30mW，尺寸43*37.5*30.2mm，功率密度15.15W/In3，通過EMI要求；

2、另一套方案是搭配安森美NCP1342控制器，QR電源方案，TPH GaN導阻240m?/480m?，功率密度24W/In3。

搭配英飛凌方案的45W快充效率表現圖。

在45W-300W功率范圍內，Transphorm的氮化鎵器件還有很多應用案例，可搭配英飛凌、強弦、Diodes、MPS等廠商的控制器，表現出良好的兼容性。

充電頭網總結

在2021（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展上，嚴啟南先生對Transphorm公司及旗下氮化鎵產品做了介紹。Transphorm耕耘氮化鎵領域已十幾年，擁護雄厚的技術底蘊，關于氮化鎵研發和應用的專利超過1000項，旗下氮化鎵產品表現十分可靠，兼容性非常好，應用簡單。

此外Transphorm還是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家，可為客戶提供從設計、生產到應用的端到端服務，旗下氮化鎵產品保質保量。本次展會還展示了自家產品在45W-300W功率快充上的設計案例，滿足低功率快充市場的需求。