前言

近年來，據充電頭網從業內獲悉，韓國政府正在積極布局第三代半導體產業，包括三星、LG、SK海力士、現代、東部高科、美格納半導體等多家世界級企業都參與了進來。韓國此舉是想持續提升本國的核心競爭力，在未來的產業競爭中贏得先機。

 

第三代半導體是什么？

 

第一二次的半導體革命都是以硅 Si 材料為基礎的各種電力電子器件，隨著硅 Si 材料電力電子器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導體材料制造的電力電子器件，如氮化鎵、碳化硅等材料，顯示出比傳統功率器件更優異的特性，給電力電子產業的發展帶來了新的生機。

相對于硅（Si）材料，使用第三代寬禁帶半導體材料制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現更高的性能。

韓國政府所提的第三代半導體就是以氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，其中碳化硅、氮化鎵用于半導體器件中時，具備耐高溫、高開關頻率、低導通電阻、高效率、化學性質穩定等優異特性，不過受限于制造工藝、應用成本等因素的限制，多年以來氮化鎵僅實現小范圍應用。

近年來，隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破，第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現，并正在打開應用市場。自從2018年開始，氮化鎵在消費類快充電源領域的應用就已經進入了快車道。未來五年，基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于激光雷達、5G通信、新能源汽車、特高壓、人工智能、數據中心等場景。從這里可以看出，第三代半導體市場是一片新的藍海。

 

韓國半導體產業規劃

 

據韓國產業通商資源部發布的2021年產業計劃發展規劃獲悉，2017-2020年，在半導體領域中，韓國的存儲器、NAND等產品連續4年市占率排名世界第一位。

但該國的半導體產業主要是在存儲等芯片，在新的半導體市場競爭之下，韓國半導體產業正在試圖減輕對存儲產品的依賴，向其他領域進行進軍，以擴大其在半導體領域的影響力。為了積極應對第三代半導體的市場競爭，以及擴大新的經濟增長點，近年來韓國政府制定了詳細的半導體產業規劃。

2017年，韓國產業通商資源部宣布，為了強化系統半導體的競爭力，產業、政府、學界三方聯手投資4645億韓元（約合4.15億美元），開發低能源、超輕量和超高速的第三代半導體芯片。

其中1326億韓元（約合1.12億美元）用于開發先進超輕量傳感器、837億韓元（約合7100萬美元）投入低耗能的SiC功率半導體，47億韓元（約合399萬美元）投資超高速存儲器和系統整合設計技術。

2019年7月，韓國政府宣布，為支援半導體材料、以及設備的國產化，每年將提供1兆韓元（約合8.5億美元）的預算。

2021年，韓國政府對第三代半導體的發展越來越重視，僅是這三年便實施了多項舉措，特別是在汽車半導體、5G領域。4月，該國政府召開會議，發表了“下一代功率半導體技術開發及產能擴充方案”，宣布將正式培育第三代功率半導體技術，到2025年開發5種以上的商業化產品，并在國內建設6~8英寸代工廠。

5月，該國政府再次宣布啟動“X-band GaN半導體集成電路”國產化課題。韓國無線通信設備半導體企業 RFHIC 艾爾福被選定為課題牽頭企業，SK Siltron將參與SiC基板和GaN樹脂的制作，LIG nex1負責系統的驗證，ETRI 韓國電子通信研究院的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。以上就是韓國政府為了大力發展第三代半導體所推出的國家政策規劃。

 

充電頭網總結

 

近年來，第三代半導體成為新興產業的寵兒。越來越多的國家都認識到了第三代半導體的重要性，而韓國就是其中之一。除了韓國政府外，韓國的三星、LG、海力士、現代等大財團也都是動作頻頻，大力布局第三代半導體。

曾經的韓國通過在存儲領域的血拼，為其半導體產業的發展打下了基礎。以三星、SK海力士等為代表的韓國半導體廠商在此期間成長了起來，并在全球半導體產業鏈中扮演著重要的角色。

而隨著5G、人工智能時代的來臨，在新的應用場景的推動下，全球半導體格局面臨著可能會發生變化的情況。相信，過不了多久，第三代半導體將會在韓國開花結果。